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IXTK 120N25P
210
Fig. 7. Input Adm ittance
110
Fig. 8. Trans conductance
180
150
120
90
100
90
80
70
60
50
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
60
30
0
T J = 150 o C
25 o C
-40 o C
40
30
20
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
0
30
60
90
120
150
180
210
350
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
300
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 125V
I D = 60A
I G = 10m A
100
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
3
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8 1
V S D - V olts
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60
Q
G
80 100 120 140 160 180 200
- nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
C is s
1000
100
Fig. 12. Forw ar d-Bias
Safe Ope r ating Ar e a
R DS(on) Lim it
25μs
100μs
1000
C oss
1m s
10
DC
10m s
100
f = 1MH z
C rs s
1
T J = 175 o C
T C = 25 o C
0
5
10
15 20 25
V DS - V olts
30
35
40
10
100
V D S - V olts
1000
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IXTK140N20P 功能描述:MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXTK170P10P 功能描述:MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube